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麻省理工學院:的半導體?

發(fā)布時間:2022-07-24瀏覽次數(shù):6020

研究人員發(fā)現(xiàn)了一種性能比硅好得多的材料。下一步是尋找實用且經(jīng)濟的方法來實現(xiàn)它。

硅是地球上豐富的元素之一,其純凈形式已成為許多現(xiàn)代技術的基礎,從太陽能電池到計算機芯片。但硅作為半導體的特性遠非理想。

一方面,盡管硅可以讓電子輕松穿過其結(jié)構(gòu),但它不太適合“空穴”——電子的帶正電對應物——而利用兩者對于某些類型的芯片很重要。更重要的是,硅不太擅長導熱,這就是為什么過熱問題和昂貴的冷卻系統(tǒng)在計算機中很常見的原因。

現(xiàn)在,麻省理工學院、休斯頓大學和其他機構(gòu)的一組研究人員進行了實驗,表明一種稱為立方砷化硼的材料克服了這兩個限制。它為電子和空穴提供高遷移率,并具有的導熱性。研究人員說,這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的的半導體材料,也許是的一種。

到目前為止,立方砷化硼只是在不均勻的小批量實驗室規(guī)模的批次中制造和測試。研究人員不得不使用初由前 MIT 博士后 Bai Song 開發(fā)的特殊方法來測試材料中的小區(qū)域。需要做更多的工作來確定立方砷化硼是否可以以實用、經(jīng)濟的形式制造,更不用說替代無處不在的硅了。研究人員說,但即使在不久的將來,這種材料也可以找到一些用途,其獨特的特性會產(chǎn)生重大影響。

發(fā)現(xiàn)今天發(fā)表在《科學》雜志上,由麻省理工學院博士后 Jungwoo Shin 和麻省理工學院機械工程教授 Gang Chen 撰寫。休斯頓大學任志峰;麻省理工學院、休斯頓大學、德克薩斯大學奧斯汀分校和波士頓學院的其他 14 人。

早期的研究,包括新論文的合著者大衛(wèi)·布羅伊多的工作,從理論上預測該材料將具有高導熱性。隨后的工作通過實驗證明了這一預測。這項工作通過實驗證實了 Chen 團隊早在 2018 年所做的預測,從而完成了分析:立方砷化硼對電子和空穴也具有非常高的遷移率,“這使得這種材料非常獨特,”Chen 說。

較早的實驗表明,立方砷化硼的熱導率幾乎是硅的 10 倍。“所以,這對于散熱來說非常有吸引力,”陳說。他們還表明,該材料具有非常好的帶隙,這一特性使其具有作為半導體材料的巨大潛力。

現(xiàn)在,這項新工作填補了這幅圖景,表明砷化硼具有高電子和空穴遷移率,具有理想半導體所需的所有主要品質(zhì)。“這很重要,因為當然在半導體中,我們同時有正電荷和負電荷。所以,如果你制造一個設備,你想要一種電子和空穴都以較小的阻力傳播的材料,”Chen 說。

硅具有良好的電子遷移率,但空穴遷移率較差,而其他材料(如廣泛用于激光器的砷化鎵)同樣具有良好的電子遷移率,但對空穴不具有良好的遷移率。

“熱量現(xiàn)在是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸,”該論文的主要作者 Shin 說。“碳化硅正在取代包括特斯拉在內(nèi)的主要電動汽車行業(yè)的電力電子產(chǎn)品硅,因為盡管電遷移率較低,但它的導熱率是硅的三倍。想象一下砷化硼可以達到什么效果,其導熱率和遷移率比硅高 10 倍。它可以改變游戲規(guī)則?!?/span>

Shin 補充說,“使這一發(fā)現(xiàn)成為可能的關鍵里程碑是麻省理工學院超快激光光柵系統(tǒng)的進步,”初由 Song 開發(fā)。他說,如果沒有這種技術,就不可能證明該材料對電子和空穴的高遷移率。

他說,立方砷化硼的電子特性初是根據(jù) Chen 的小組所做的量子力學密度函數(shù)計算來預測的,現(xiàn)在這些預測已經(jīng)通過在 MIT 進行的實驗得到驗證,該實驗使用了 Ren 及其成員制作的樣品的光學檢測方法。休斯頓大學的團隊。

研究人員說,這種材料的熱導率不僅是所有半導體中的,而且在所有材料中熱導率第三——僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼。“現(xiàn)在,我們也從原理預測了電子和空穴的量子力學行為,這也被證明是正確的,”陳說。

“這令人印象深刻,因為除了石墨烯之外,我實際上不知道有任何其他材料具有所有這些特性,”他說。“這是一種具有這些特性的散裝材料?!?/span>

他說,現(xiàn)在的挑戰(zhàn)是找出使這種材料達到可用數(shù)量的實用方法。目前制造非常不均勻的材料的方法,因此團隊必須找到方法來測試材料的小局部補丁,這些補丁足夠均勻以提供可靠的數(shù)據(jù)。雖然他們已經(jīng)證明了這種材料的巨大潛力,但“我們不知道它是否或在哪里實際使用,”陳說。

“硅是整個行業(yè)的主力,”陳說。“所以,好吧,我們有一種更好的材料,但它真的會抵消這個行業(yè)嗎?我們不知道?!?nbsp;雖然這種材料看起來幾乎是一種理想的半導體,但“它是否真的可以進入設備并取代目前的一些市場,我認為這還有待證明?!?/span>

陳說,雖然熱性能和電性能已被證明非常,但材料的許多其他性能仍有待測試,例如其長期穩(wěn)定性。“要制造設備,還有許多我們還不知道的其他因素?!?/span>

他補充說,“這可能非常重要,人們甚至沒有真正關注過這種材料?!?nbsp;現(xiàn)在砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清晰,這表明該材料“在許多方面都是的半導體”,他說,“也許這種材料會受到更多關注?!?/span>

對于商業(yè)用途,Shin 說,“一個巨大的挑戰(zhàn)是如何像硅一樣有效地生產(chǎn)和純化立方砷化硼。……硅花了幾十年的時間才贏得桂冠,純度超過 99.99999999%,或者今天的大規(guī)模生產(chǎn)是 '10 個九'?!?/span>

陳說,要使其在市場上實用,“確實需要更多的人開發(fā)不同的方法來制造更好的材料并對其進行表征?!?nbsp;他說,這種發(fā)展所需的資金是否可用還有待觀察。

該研究得到了美國海軍研究辦公室的支持,并使用了麻省理工學院 MRSEC 共享實驗設施的設施,并得到了科學基金會的支持。


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